2012年5月11日 星期五

常用電容器


常用電容器
1、鋁電解電容器
用浸有糊狀電解質的吸水紙夾在兩條鋁箔中間捲繞而成,薄的化氧化膜作介質的電容器。因為氧化膜有單嚮導電性質,所以電解電容器具有極性。容量大,能耐受大的脈動電流,容量誤差大,洩漏電流大;普通的不適於在高頻和低溫下應用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波。
電容量:0.4710000u
額定電壓:6.3450V
主要特點:體積小,容量大,損耗大,漏電大。
應用:電源濾波,低頻耦合,去耦,旁路等。

2、鉭電解電容器(CA)鈮電解電容(CN
用燒結的鉭塊作正極,電解質使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可靠性均優於普通電解電容器,特別是漏電流極小,貯存性良好,壽命長,容量誤差小,而且體積小,單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對脈動電流的耐受能力差,若損壞易呈短路狀態超小型高可靠機件中。
電容量:0.11000u
額定電壓:6.3125V
主要特點:損耗、漏電小於鋁電解電容。
應用:在要求高的電路中代替鋁電解電容。

3、薄膜電容器
結構與紙質電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質頻率特性好,介電損耗小不能做成大的容量,耐熱能力差濾波器、積分、振盪、定時電路。
a.聚酯(滌綸)電容(CL)
電容量:40p~4u。
額定電壓:63~630V。
主要特點:小體積,大容量,耐熱耐濕,穩定性差。
應用:對穩定性和損耗要求不高的低頻電路。
b.聚苯乙烯電容(CB)
電容量:10p~1u。
額定電壓:100V~30KV。
主要特點:穩定,低損耗,體積較大。
應用:對穩定性和損耗要求較高的電路。
c.聚丙烯電容(CBB)
電容量:1000p~10u。
額定電壓:63~2000V。
主要特點:性能與聚苯相似但體積小,穩定性略差。
應用:代替大部分聚苯或雲母電容,用於要求較高的電路。


4、瓷介電容器
        穿心式或支柱式結構瓷介電容器,它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小,頻率特性好,介電損耗小,有溫度補償作用不能做成大的容量,受振動會引起容量變化特別適於高頻旁路。

a.高頻瓷介電容(CC)
電容量:1~6800p。
額定電壓:63~500V。
主要特點:高頻損耗小,穩定性好。
應用:高頻電路。
b.低頻瓷介電容(CT
電容量:10p~4.7u。
額定電壓:50V~100V。
主要特點:體積小,價廉,損耗大,穩定性差。
應用:要求不高的低頻電路。

5
、獨石電容器
(
多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合後一次繞結成一塊不可分割的整體,外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器,高介電常數的低頻獨石電容器也具有穩定的性能,體積極小,Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振盪電路。
容量範圍:0.5PF1UF
耐壓:二倍額定電壓。
電容量大、體積孝可靠性高、電容量穩定,耐高溫耐濕性好等。
應用範圍:廣泛應用於電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。

6、紙質電容器
        一般是用兩條鋁箔作為電極,中間以厚度為0.0080.012mm 的電容器紙隔開重疊捲繞而成。製造工藝簡單,價格便宜,能得到較大的電容量。一般在低頻電路內,通常不能在高於34MHz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質電容器高,穩定性也好,適用於高壓電路。

7
、微調電容器
電容量可在某一小範圍內調整,並可在調整後固定於某個電容值。瓷介微調電容器的Q值高,體積也小,通常可分為圓管式及圓片式兩種。雲母和聚苯乙烯介質的通常都採用彈簧式東,結構簡單,但穩定性較差。線繞瓷介微調電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的,故容量只能變小,不適合在需反覆調試的場合使用。

a. 空氣介質可變電容器
可變電容量:100~1500p。
主要特點:損耗小,效率高;可根據要求製成直線式、直線波長式、直線頻率式及
                                    對數式等。
應用:電子儀器,廣播電視設備等。
b. 薄膜介質可變電容器
可變電容量:15~550p。
主要特點:體積小,重量輕;損耗比空氣介質的大。
應用:通訊,廣播接收機等。
c. 薄膜介質微調電容器
可變電容量:1~29p。
主要特點:損耗較大,體積校
應用:收錄機,電子儀器等電路作電路補償。
d. 陶瓷介質微調電容器
可變電容量:0.3~22p。
主要特點:損耗較小,體積較校
應用:精密調諧的高頻振盪回路。

8
、陶瓷電容器
用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質,並用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極製成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度係數的電容器,用於高穩定振盪回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限於在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或對穩 定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈衝電路中,因為它們易於被脈衝電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用於高頻電路。

9
、玻璃釉電容器(CI
由一種濃度適於噴塗的特殊混合物噴塗成薄膜而成,介質再以銀層電極經燒結而成"獨石"結構性能可與雲母電容器媲美,能耐受各種氣候環境,一般可在200℃ 或更高溫度下工作,額定工作電壓可達500V,損耗tgδ0.00050.008
電容量:10p0.1u
額定電壓:63400V
主要特點:穩定性較好,損耗小,耐高溫(200度)。
應用:脈衝、耦合、旁路等電路。

常用電容的分類、結構及其特點列表




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